文章目录

0 引言

1 ALD技术的基本原理

1.1 热ALD技术的薄膜生长原理

1.2 等离子体增强ALD技术的薄膜生长原理

2 基于ALD技术的高性能光电探测器

2.1 基于ALD技术制备的活性层

2.2 基于ALD技术制备的钝化层

2.3 基于ALD技术制备的界面层

2.4 基于ALD技术制备的电荷传输层

3 结语

文章摘要:采用原子层沉积（ALD）技术制备的薄膜具有致密性高、保形性高、平滑性好、缺陷密度低、厚度可精准调控等优势,被广泛应用于各类光电器件中。利用ALD技术制备的功能薄膜可以明显改善光电探测器的暗电流、探测率和线性动态范围等性能。以基于ALD技术的高性能光电探测器为主题,首先详细介绍了热ALD生长薄膜的基本原理,同时简要介绍了等离子体增强ALD技术生长薄膜的基本原理。然后依据光电探测器中薄膜的功能不同,依次总结了基于ALD技术制作的活性层、钝化层、界面层、电荷传输层等实现高性能光电探测器的研究进展。最后对ALD技术在光电探测器领域的发展趋势和挑战进行了展望。

文章关键词:

项目基金:文章来源：《光学与光电技术》 网址: http://www.gxygdjs.cn/qikandaodu/2021/1202/737.html